主營(yíng)產(chǎn)品:可控硅、二極管、IGBT、整流橋、整流器、晶閘管、圓餅可控硅...
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混合電路和模塊技術(shù)的發(fā)展簡(jiǎn)史及分析?
50多年來(lái),混合電路和模塊技術(shù)一直在發(fā)展,現(xiàn)在,模塊采用了COTS(商用現(xiàn)成有售)形式,為縮短設(shè)計(jì)周期、減輕過(guò)時(shí)淘汰問(wèn)題以及應(yīng)對(duì)SWaP(尺寸、重量和功率)挑戰(zhàn)做出了重大貢獻(xiàn)。我們來(lái)回顧一下這種技術(shù)的發(fā)展歷史,
關(guān)于電動(dòng)汽車(chē)充電的發(fā)展過(guò)程?
電動(dòng)車(chē)充電分為哪幾個(gè)過(guò)程1、恒流充電階段,充電器充電電流保持恒定,充入電量快速增加,電池電壓上升;2、恒壓充電階段,充電器充電電壓保持恒定,充入電量繼續(xù)增加,電池電壓緩慢上升,充電電流下降;3、蓄電池充滿(mǎn),充電
如何準(zhǔn)確測(cè)量電源的核心指標(biāo)紋波?
紋波是電源的核心指標(biāo),但如何準(zhǔn)確測(cè)量紋波確實(shí)一個(gè)被廣泛忽略的問(wèn)題。也許您認(rèn)為不就是示波器交流耦合,然后把探頭點(diǎn)在電源上嘛?事實(shí)遠(yuǎn)非如此,本文為您呈現(xiàn)紋波測(cè)試的正確方式。一、探頭的選擇在十幾年前,很多公司的電源測(cè)
四步走克服模擬CMOS兩大危害靜電及過(guò)壓?
對(duì)于模擬CMOS(互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過(guò)壓(信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓)。了解這兩大危害,用戶(hù)便可以有效應(yīng)對(duì)。靜電由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的靜電電壓帶來(lái)的危
隔離式電源設(shè)計(jì)需要開(kāi)發(fā)最好的拓?fù)?
自從上世紀(jì) 60 年代開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 問(wèn)世以來(lái),出現(xiàn)了幾種我認(rèn)為足以讓設(shè)計(jì)人員為之興奮的技術(shù),即:磁集成(70年代)、軟開(kāi)關(guān)(70 年代)、MOSFET(70 年代)和數(shù)字控制(70 年代)。除了數(shù)
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