我國雖然在半導體芯片行業(yè)中落后世界先進水平太多，但也在一步一個腳印地前進，不斷取得新突破。

據(jù)媒體報道，4月11日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目，芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段。

紫光在武漢、南京、成都三地都有300mm閃存晶圓廠，這次率先啟動的是武漢工廠，同時募集的800億元資金也已經(jīng)全部到位。

紫光集團全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是披露了一個振奮人心的好消息：長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國在發(fā)言中強調(diào)，國家存儲器基地項目是中國集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領(lǐng)域的航空母艦。

在此之前，基地生產(chǎn)廠房已于2017年9月提前一個月封頂，32層堆疊立體NAND閃存芯片自主研發(fā)也取得重大突破，如今又提前20天完成芯片生產(chǎn)機臺搬入，就像是航母舾裝完畢、開始裝配武器彈藥了。

今年底，基地就將實現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存的小規(guī)模量產(chǎn)，用不了多久就能看到基于國產(chǎn)閃存的智能手機、SSD固態(tài)硬盤。

明年，長江存儲還將開始64層堆疊閃存，單顆容量128Gb(16GB)。