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?大功率IGBT擊穿故障分析及驅(qū)動保護電路設(shè)計

文章出處:半導體 責任編輯:上海意泓電子科技有限責任公司 發(fā)表時間:
2021
04-08
大功率IGBT擊穿故障分析及驅(qū)動保護電路設(shè)計?


        通過對igbt組成的h橋在大功率高速開關(guān)條件下進行大量實驗,列舉了igbt發(fā)生擊穿故障的多種原因,結(jié)合igbt器件的結(jié)構(gòu)分析其擊穿過程及擊穿表現(xiàn),并通過計算提出了一種輸出波形穩(wěn)定的igbt驅(qū)動電路以及相應的保護電路。


        目前,大功率電源技術(shù)的發(fā)展向著小型、高頻方向邁進,其功率開關(guān)部分多采用igbt來實現(xiàn),但是由于功率的增大、開關(guān)頻率的增高及設(shè)備體積的減小,使得igbt發(fā)生擊穿甚至炸管的故障率顯著增加,該文通過使igbt工作在500 v/10 khz條件下進行的各項試驗,對不同原因?qū)е碌膿舸┈F(xiàn)象進行分析總結(jié),論述了不同情況下?lián)舸┑母驹蚣氨憩F(xiàn)形式,提出了一種igbt驅(qū)動保護電路,經(jīng)實際驗證,此電路運行穩(wěn)定,保護動作快速有效。


   igbt是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,具有載流密度大,開關(guān)速率快,驅(qū)動功率小而飽和壓降低的優(yōu)點。非常適合應用于直流電壓為600 v及以上的大功率逆變系統(tǒng),在工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應用。

1 擊穿原因分析由于該器件經(jīng)常應用于大功率及開關(guān)速率快的場合,因此發(fā)生擊穿甚至炸管的幾率非常高,究其根本擊穿原因有以下三點:過壓擊穿、過流擊穿、過溫擊穿。

1.1 過壓擊穿引起過壓擊穿的原因有很多,比如負載、線路、元器件的分布電感的存在,導致igbt在由導通狀態(tài)關(guān)斷時,電流ic突然變小,將在igbt的c、e兩端產(chǎn)生很高的浪涌尖峰電壓uce=l×dic/dt,此電壓若大于igbt的耐壓值,則會擊穿igbt;另外,靜電、負載變化、電網(wǎng)的波動、驅(qū)動電路失效開路以及外部電磁干擾都可能引起電壓擊穿。

過壓擊穿分為兩個步驟:(1)igbt的雪崩擊穿;(2)igbt短路。

第一步:雪崩擊穿,當igbt的柵極電壓為零或負時,處于正向阻斷狀態(tài),此時若igbt承受外部阻斷電壓較高,耗盡層的電場強度隨電壓升高而升高,就會在耗盡層產(chǎn)生大量的電子和空穴,當電場強度超過臨界值時,外部阻斷電壓會使中性區(qū)邊界漂移進來的載流子加速獲得很高的動能,這些高能載流子在空間電荷區(qū)與點陣原子碰撞時使之電離,產(chǎn)生新的電子-空穴對。新生的電子-空穴對立即被強電場分開并沿相反方向加速,進而獲得足夠動能使另外的點陣原子電離,產(chǎn)生更多的電子-空穴對,載流子在空間電荷區(qū)倍增下去,反向電流迅速增大,發(fā)生雪崩擊穿,直至pn 結(jié)損壞。這個使得pn 結(jié)電場增強到臨界值的外部電壓稱為igbt的雪崩擊穿電壓。

第二步:igbt短路,igbt的雪崩擊穿是一個可逆過程,不會立即導致igbt損壞,此過程如果通過增加吸收回路等方法使過壓時間控制在10個電壓脈沖周期以內(nèi),igbt不會表現(xiàn)為不可逆的擊穿狀態(tài),但如果吸收回路沒能在短時間內(nèi)吸收浪涌電壓,那么igbt則會表現(xiàn)為集電極發(fā)射極短路狀態(tài)(靜電擊穿門級表現(xiàn)為門級發(fā)射極短路),此狀態(tài)不可逆。

1.2 過流擊穿

     導致igbt過流擊穿的原因多為負載短路、負載對地短路,此外,由于驅(qū)動電路故障、外界干擾等造成的逆變橋橋臂不正確導通也是過流擊穿的一大原因。

    igbt有一定抗過電流能力,但時間要控制在10 us以內(nèi)。igbt 內(nèi)部有一個寄生晶閘管,所以有擎住效應。在規(guī)定的發(fā)射極電流范圍內(nèi),npn 的正偏壓不足以使其導通,當發(fā)射極電流大到一定程度時,這個正偏壓會使npn 晶體管開通,進而使npn 和pnp 晶體管處于飽和狀態(tài),導致寄生晶閘管開通,此時門極會失去控制作用,便發(fā)生了擎住效應,igbt 發(fā)生擎住效應后,發(fā)射極電流過大造成了過高的功耗,最后導致器件的損壞。過流擊穿多表現(xiàn)為可見性炸管。

1.3 過溫擊穿 

igbt的最大工作溫度一般為175 ℃,但實際應用中結(jié)溫的最高溫度要控制在150 ℃以下,一般最好不要超過130 ℃,否則高溫會引起外部器件熱疲勞以及igbt穩(wěn)定性變差,經(jīng)過實際驗證igbt長時間工作在40 ℃左右為宜。

   發(fā)生過溫擊穿的主要原因為散熱設(shè)計不完善,電路設(shè)計原因為死區(qū)時間設(shè)置過短、控制信號受干擾導致的逆變橋臂瞬時短路、負載阻抗不匹配、驅(qū)動電壓不足、igbt器件選型錯誤導致的和設(shè)計開關(guān)頻率不匹配等。

     過溫失效主要表現(xiàn)在以下幾個方面:柵門檻電壓vge增大;ce動態(tài)壓降vce增大;動態(tài)導通時間增大,關(guān)斷時間減??;開關(guān)損耗增大。

2 驅(qū)動保護電路設(shè)計

2.1 驅(qū)動電路設(shè)計思路以k40t120(1200 v/40 a)型igbt為例進行驅(qū)動電路設(shè)計:

2.1.1 確定門級電電容及驅(qū)動電壓:用cin=5 ciss進行計算,根據(jù)手冊可查ciss=2360 pf,則cin=2360×5=11.8 nf,根據(jù)q=∫idt=cin×δu計算驅(qū)動電壓δu經(jīng)查此igbt門級電容q=192 nc,δu=q/cin=16.3 v,因此最小驅(qū)動電壓為16.3 v。

2.1.2 確定門級正偏壓以及負偏壓:正偏壓vge越高,器件的導通損耗就越小,但是,vge不允許超過+20 v,原因是一旦發(fā)生過流或短路,vge越高,則電流幅值越高,igbt損壞的可能性就越大。負偏壓的應用是為了在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時仍能可靠截止,一般選為5~15 v為宜。綜合最小驅(qū)動電壓16.3 v,由器件vgate/ic曲線選定正偏壓+11 v、負偏壓-9 v為最終驅(qū)動電壓。

另外,驅(qū)動電路還應有門極電壓限幅功能,以防外界干擾及器件損壞等造成的門級過驅(qū)動擊穿igbt。

2.1.3 確定驅(qū)動電流及驅(qū)動電阻:一般來講,igbt器件的耐壓耐流越大,igbt的門極和集電極間的等效電容越大,所需的電流越大,此外開關(guān)頻率越大,所需門級電流越大。

k40t120的門級電流為200 ma,以20 v驅(qū)動電壓計算,其最小驅(qū)動電阻為20 v/200 ma=10 k,選擇10 k作為驅(qū)動電阻。由器件的rg/td(on)td(off)曲線結(jié)合所需開關(guān)頻率確定門級電阻為40 ω。

此外,igbt驅(qū)動電路需要設(shè)計隔離電路(可采用光耦隔離或變壓器隔離),防止igbt擊穿時損壞驅(qū)動電路或者中控電路,設(shè)計的思路是盡可能的簡單實用,要有抗干擾能力,輸出阻抗越低越好。

2.2 igbt驅(qū)動電路

由于電路中分布電感和分布電容對igbt高速開關(guān)狀態(tài)會有很大的影響,所以采用分級設(shè)計,前后級用雙絞線進行連接。

   圖1所示為k40t120的前級驅(qū)動電路:由光耦進行隔離,信號由光耦輸入,20 v電壓輸入經(jīng)整形變?yōu)?11/-9 v的驅(qū)動波形由g/e輸出。

圖中電容的作用是使輸出波形更平穩(wěn),穩(wěn)壓管1n4739(9.1 v穩(wěn)壓管)的目的是提供負偏壓,可根據(jù)實際情況進行改變。

   圖2所示為igbt后級驅(qū)動部分,以h橋單橋臂為例實際應用中可在電源母線加裝π型濾波器、增加電容組的容量以抑制浪涌電壓,p6ke16ca為雙向瞬態(tài)電壓抑制器件,防止門級電壓過高引起器件損毀。

2.3 igbt的保護

igbt的過壓保護主要采用減少電路分布電感、增加吸收緩沖回路、增大門級電阻等方法來實現(xiàn),此部分電路加裝在驅(qū)動電路部分。igbt的過溫保護主要采用散熱片加風冷的方式實現(xiàn),并參考實際應用參數(shù)(工作電流及環(huán)境溫度)進行設(shè)計,在此不再贅述。

igbt過流保護電路:

igbt具有一定的過流能力,但是過流時間不可超過10 us,要求過流保護電路要有高精度、快速反應等優(yōu)點,因此采用電源母線采樣、高速比較器進行電流比較,一旦超過設(shè)定電流立刻關(guān)斷驅(qū)動波形,保護igbt。

圖3所示保護電路,高速比較器采用lm211,電感l(wèi)串入母線回路,由330 ω電阻進行采樣并經(jīng)分壓輸入2腳,3腳的基準電壓有電源電壓分壓得到,調(diào)整20k電阻調(diào)節(jié)保護靈敏度,cd4013的輸出端可根據(jù)實際需要接入波形發(fā)生電路或經(jīng)光耦隔離接入驅(qū)動電路。此保護電路在500 v/20 a的逆變電路中應用,igbt擊穿率下降到7%左右,有實際的應用價值。

3 結(jié)語igbt器件由于其工作在大電壓、大電流的狀態(tài)下,因此,發(fā)生擊穿甚至炸管的故障較多,但是,只要按照器件手冊及相關(guān)計算公式計算驅(qū)動電壓、電流,選定穩(wěn)定可靠的驅(qū)動電路,合理設(shè)計電路板結(jié)構(gòu),增加相應的保護措施,igbt完全可以穩(wěn)定可靠地工作。


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