亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高壓非隔離式同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC7801,該器件采用緊湊的 24 引線封裝,用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)全 N 溝道 MOSFET 功率級(jí)。其 4V 至 140V (150V 絕對(duì)最大值) 輸入電壓范圍專為采用一個(gè)高輸入電壓電源或一個(gè)具有高電壓浪涌的輸入工作而設(shè)計(jì),從而免除了增設(shè)外部浪涌抑制器件的需要。LTC7801 在輸入電壓降到低至 4V 時(shí)繼續(xù)以高達(dá) 100% 的占空比操作,因而非常適合交通運(yùn)輸、工業(yè)控制、機(jī)器人和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用。
在輸出電流高達(dá) 20A 的條件下,輸出電壓可設(shè)定在 0.8V 至 60V,并具有高達(dá) 96% 的效率。在輸出電壓處于調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí),該器件在睡眠模式中僅吸收 40μA,非常適合始終保持接通的系統(tǒng)。一個(gè)內(nèi)部充電泵允許 100% 的占空比和在壓差條件下工作,當(dāng)在放電期間用電池供電時(shí),這是一個(gè)有用的特性。LTC7801 強(qiáng)大的 1? N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器可在 5V 至 10V 的范圍內(nèi)調(diào)節(jié),以允許使用邏輯或標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET 以最大限度地提升效率。為了在高輸入電壓應(yīng)用中防止片內(nèi)產(chǎn)生高功耗,LTC7801 具有一個(gè) NDRV 引腳,該引腳可驅(qū)動(dòng)一個(gè)任選外部 N 溝道 MOSFET 的柵極,此 MOSFET 充當(dāng)一個(gè)向 IC 供電的低壓差線性穩(wěn)壓器。EXTVCC 引腳允許 LTC7801 從開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出或其他的可用電源供電,從而降低了功耗并改善效率。
LTC7801 在 50kHz 至 900kHz 可選固定頻率范圍內(nèi)運(yùn)行,也可同步至 75kHz 至 850kHz 的外部時(shí)鐘。在輕負(fù)載時(shí),用戶可以選擇強(qiáng)制連續(xù)運(yùn)行、脈沖跳躍或低紋波突發(fā)模式 (Burst Mode?) 運(yùn)行。其電流模式架構(gòu)提供方便的環(huán)路補(bǔ)償、快速瞬態(tài)響應(yīng)和出色的電壓穩(wěn)定性。電流檢測通過檢測輸出電感器 (DCR) 兩端的壓降來完成以實(shí)現(xiàn)最高效率,或者通過使用一個(gè)可選的檢測電阻器完成。很短的 80ns 最小接通時(shí)間在高開關(guān)頻率時(shí)允許高降壓比。在過載情況下,電流折返限制了 MOSFET 產(chǎn)生的熱量。其他特點(diǎn)包括一個(gè)集成的自舉二極管、一個(gè)電源良好輸出信號(hào)、可調(diào)輸入過壓閉鎖和軟啟動(dòng)。
LTC7801 采用 4mm x 5mm QFN-24 和 TSSOP-24 耐熱性能增強(qiáng)型封裝。提供兩種工作結(jié)溫級(jí)版本:–40°C 至 125°C 的擴(kuò)展溫度級(jí)和工業(yè)溫度級(jí)、以及 –40°C 至 150°C 的高溫汽車級(jí)。千片批購價(jià)為每片 4.20 美元。
150V 同步降壓型控制器
性能概要: LTC7801
寬輸入電壓范圍:4V 至 140V (150V 絕對(duì)最大值)
寬輸出電壓范圍:0.8V 至 60V
輸出電流高達(dá) 20A
同步整流實(shí)現(xiàn)高達(dá) 96% 的效率
低的 40μA 靜態(tài)電流
100% 占空比能力
可調(diào)的 5V 至 10V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓以用于邏輯電平或標(biāo)準(zhǔn)門限 MOSFET
DCR 或 RSENSE 電流檢測
短的 80ns 最小導(dǎo)通時(shí)間用于實(shí)現(xiàn)高降壓比
可在輕負(fù)載時(shí)選擇連續(xù)、脈沖跳躍或低紋波突發(fā)模式運(yùn)行
50kHz 至 900kHz 可選固定工作頻率
75kHz 至 850kHz PLL 可同步工作頻率
電流模式控制實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和簡易的環(huán)路補(bǔ)償
電源良好輸出信號(hào)
可調(diào)輸入過壓閉鎖年6月9日,北京——
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